公司資訊

漢辰科技 (Advanced Ion Beam Technology, Inc. AIBT) 1999年成立於美國矽谷，並於2003年在新竹與台南科學園區設立營運總部與研發製造中心。

漢辰開發製造的低能量高電流離子植入機所植入的離子，推動世界的先進邏輯與通訊晶片的高性能運作。藉由28奈米製程打下的堅實基礎，並與全球半導體製造龍頭公司長期合作，漢辰正將20多年來累積的核心技術與製程經驗，推進於新世代先進奈米製程，同時也將最關鍵的製程設備技術根植台灣。

一路走來，由早期的iPlusar延伸至iPulsar Plus，再進展為iBlazar，年產能達50台。漢辰的設備採用國產零組件高達8成，帶動國產零組件供應鏈發展，降低開發成本，提供在地化與彈性客製的優異服務；未來，漢辰將持續網羅離子植入技術頂尖開發人才及半導體製程專家，致力於半導體核心製程設備的研發與製造。